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WAlN-SA002
推奨
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1、 2) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2、 3) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3、 4) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0.1、 1) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec