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WAlN-SA002
Empfohlen
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1, 2) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2, 3) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3, 4) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0.1, 1) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec