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WAlN-SA002
推奨
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1、 2) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2、 3) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3、 4) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001
MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0.1、 1) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec
LP2MQBB
推奨
こうでんりょく
15~30 mW
くどうでんりゅう
80 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
5~7 V
LP2AQHB
こうでんりょく
40~70 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
5~7 V
LP2AHAC
こうでんりょく
40~70 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
30°
動作電圧
5~7 V
LP2AHAA
こうでんりょく
40~70 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
60°
動作電圧
5~7 V
LM218QQA
こうでんりょく
400~600 mW
くどうでんりゅう
600 mA
波長
260~280 nm
出光角
60°
動作電圧
15~21 V
LM44QPB
こうでんりょく
200~400 mW
くどうでんりゅう
700 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
11~14 V
LM24QPB
こうでんりょく
70~150 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
10~14 V
LM24QMC
こうでんりょく
70~150 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
30°
動作電圧
10~14 V