WAlN-SA004

MOCVDプロセスに基づく高品質AlN/Sapphireテンプレート

あつさ

[3、 4) μm

(002）

≤ 180 arcsec

(102）

≤ 400 arcsec

基本パラメータ

Diameter 2 inch

Substrate Sapphire

Substrate Thickness 430±20 μm

Epilayer Thickness [3、 4) μm

FWHM of 002 XRC ≤ 180 arcsec

FWHM of 102 XRC ≤ 400 arcsec

Front side roughness ≤ 1。 5 nm (10×10 μm)

Edge exclusion ≤ 3 mm

Through Crack None

Surface orientation of a-plane 0°±0。 1°

Surface orientation of m-plane 0。 2°±0。 1°

Primary flat orientation a-plane±0。 1°

Primary flat length 16±1 mm

Back side roughness 0。 8±0。 2 μm

構造寸法情報が一時的にありません