エピタキシャル材料コアの重要な技術
高品質紫外LEDエピタキシャル材料の欠陥と応力制御技術を革新的に提案し、紫外LED材料の転位密度の3×10㎥cm²への低下を実現し、国際先進レベルに達する
転位密度制御
転位密度は3×10㎥cm²に低下し、国際先進レベルに達した
応力有効解放
革新的なピラミッドナノパターン化NPSS基板エピタキシャル成長癒合技術
ノーベル賞受賞者が認める
2014年ノーベル物理学賞受賞者Nakamura氏が高く評価
高品質紫外LEDエピタキシャル材料の欠陥と応力制御技術を革新
パターン化基板、厚さ制御、転位結合と応力解放技術を通じて、エピタキシャル材料の品質突破性向上を実現する
パターン化基板の表面形態
原子間力顕微鏡（AFM）を用いて観察したパターン化基板表面は、規則的に配列されたピラミッド状またはテーパ構造を呈し、均一に分布し、エピタキシャル成長に理想的なテンプレートを提供する
ひょうめんとくせい
ピラミッド状微細構造アレイ
ルール・グリッドの配置
3 D表面形態制御
厚さが10µmを超える
走査電子顕微鏡（SEM）断面画像はサファイア基板上のAlN層の成長を示し、厚さは10µmを超え、垂直に延びる空気孔を含む
材料構造階層
AlN層
厚さ>10µm
くうきあな
垂直方向に延長
サファイア基板
h = 6。 6µm
転位マージ中の曲げ消滅
透過型電子顕微鏡（TEM）画像はエピタキシャル層中の転位欠陥の成長過程における曲げ、合体、消滅過程を示し、欠陥密度を効果的に低下させた
転位制御機構
てんいまげ
転位マージ
転位消滅
応力有効解放
逆空間マッピング（RSM）解析は材料中の応力状態と結晶品質を示し、有効な応力放出技術により高品質エピタキシャル成長を実現した
応力解析パラメータ
Qx×10000 (rlu）
2810-2880
Qz×10000 (rlu）
7715-7750
おうりょくじょうたい
ゆうこうほうしゅつ
技術成果と知的財産権
エピタキシャル技術に基づく革新的な成果がノーベル賞受賞者に認められ、衛星探査プロジェクトへの応用に成功した
コア特許
超広帯域禁止窒化アルミニウム材料エピタキシャルシート及びその製造方法
特許番号：ZL 2011380251.1
深紫外LEDのヘテロエピタキシャル基板及びその製造方法及び応用
特許番号：ZL 202110397975.2
代表論文
Applied Physics Letters
2019, 114。 4
Optics Express
2018, 26。 2: 680-686
応用成果
「海洋1号」衛星探査プロジェクト
海洋環境のオンラインモニタリング
AlGaN材料の応用
衛星システムへの応用に成功した
ノーベル賞受賞者の評価
2014年ノーベル物理学賞受賞者Nakamura
「この技術革新は斬新な成長方式とアニーリング技術の下で低転位密度AlN/NSPSを現実にすることが期待される」
技術的優位性の概要
革新的なピラミッドナノパターン化NPSS基板技術
応力の効果的な解放と転位制御の促進
転位密度を3×10µcm²に低減
国際先進水準に
衛星探査プロジェクトへの応用に成功した
ノーベル賞受賞者から高い評価