Schlüsseltechnologien für Streckenmaterialien
Innovation schlägt hochwertige UV-LED-Ausdehnungsmaterialfehler und Spannungskontrolltechnologie vor, um die Bitfehlerdichte von UV-LED-Materialien auf 3 x 108 cm-² zu reduzieren, um das internationale fortgeschrittene Niveau zu erreichen
Bitfehlerdichtesteuerung
Verringerung der Bitfehlerdichte auf 3×108 cm VerVerringerung des internationalen fortgeschrittenen Niveaus
Stress effektiv freisetzen
Innovative Pyramide Nano-Grafik NPSS Substrate Extended Wachstum Heilung Technologie
Nobelpreisträger anerkannt
Nobelpreisträger für Physik 2014, Nakamura
Innovative Technologien zur Fehler- und Spannungskontrolle von hochwertigen UV-LEDs
bahnbrechende Verbesserung der Qualität von Streckstoffen durch grafische Substrate, Dickenkontrolle, Bit-Fehler-Fusion und Spannungsablösungstechnologien
Grafische Oberflächenformation
Die grafische Substratoberfläche, die mit dem Atomkraftmikroskop (AFM) beobachtet wird, zeigt eine regelmäßig angeordnete pyramidförmige oder kegelförmige Struktur, die gleichmäßig verteilt ist und die ideale Schablone für das erweiterte Wachstum bietet
Dicken über 10 µm
Ein Scan-Elektronenmikroskop-Schnittbild (SEM) zeigt das Wachstum einer AlN-Schicht auf einem Saphirsubstrat mit einer Dicke von mehr als 10 µm, das sich vertikal erstreckende Luftlöcher enthält
Biegungsvernichtung beim Bitfehler-Fusionsprozess
Transmittionselektronenmikroskop-Bilder (TEM) zeigen den Prozess der Biegung, Fusion und Zerstörung von Bitfehlern in der Extensionsschicht während des Wachstumsprozesses, wodurch die Fehlerdichte effektiv reduziert wird
Stress effektiv freisetzen
Die Reverse Easy Spatial Mapping (RSM)-Analyse zeigt den Spannungszustand und die Kristallmasse des Materials und ermöglicht ein hohes Qualitätswachstum mit einer effektiven Spannungsablösungstechnik
Technologie und geistiges Eigentum
Innovationen auf der Grundlage der Extension-Technologie werden von Nobelpreisträgern anerkannt und erfolgreich in der Satellitenkontrolle eingesetzt
Kernpatente
Repräsentative Abhandlungen
Anwendungsergebnisse
Bewertung der Nobelpreisträger
Nobelpreisträger für Physik 2014 Nakamura
"Diese technologische Innovation verspricht die Realisierung von AlN/NPSS mit niedriger Bitfehlerdichte durch innovative Wachstumsmethoden und Hitztechnologien