とっきょ

特許の概要

328+
特許数
65%
承認率

優炜芯は持続的に研究開発・革新に投入され、UVLED技術分野で豊富な特許資産を蓄積し、チップ設計、パッケージ技術、応用ソリューションなど多くの方面をカバーしている

当社の特許ポートフォリオは、企業の技術的優位性を強力に保護し、お客様に信頼性の高い知的財産権の保障を提供しています

特許分類

発明特許
実用新案登録
意匠特許
国際特許
COB光源

COB光源

承認済み
特許番号 ZL201920197488X
特許権者 武漢優炜星科技有限公司
応募日 2019-02-14
表面貼付式LEDのパッケージ

表面貼付式LEDのパッケージ

承認済み
特許番号 ZL 2018 2 2052790。 4
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-07
表面貼付式LEDのパッケージ

表面貼付式LEDのパッケージ

承認済み
特許番号 ZL 2018 2 2052790。 4
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-07
二層ブラッグ反射層を有する深紫外LEDエピタキシャル構造及びデバイス

二層ブラッグ反射層を有する深紫外LEDエピタキシャル構造及びデバイス

承認済み
特許番号 ZL 2018 2 2033175。 9
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-05
二層ブラッグ反射層を有する深紫外LEDエピタキシャル構造及びデバイス

二層ブラッグ反射層を有する深紫外LEDエピタキシャル構造及びデバイス

承認済み
特許番号 ZL 2018 2 2033175。 9
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-05
ファンレスUV-LEDスプレー光源

ファンレスUV-LEDスプレー光源

承認済み
特許番号 ZL 2017 1 0873565。 4
特許権者 武漢優炜星科技有限公司
応募日 2017-09-25
深紫外LEDパッケージ構造

深紫外LEDパッケージ構造

承認済み
特許番号 ZL 2018 2 2037517。 4
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-05
深紫外発光ダイオードチップ

深紫外発光ダイオードチップ

承認済み
特許番号 ZL201822032512。 2
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-05
深紫外LEDパッケージ構造

深紫外LEDパッケージ構造

承認済み
特許番号 ZL 2018 2 2037517。 4
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-05
深紫外発光ダイオードチップ

深紫外発光ダイオードチップ

承認済み
特許番号 ZL201822032512。 2
特許権者 湖北深紫科技有限公司
応募日 2018-12-05