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WAlN-SA002
Empfohlen
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1, 2) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2, 3) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3, 4) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001
Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0.1, 1) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec
LP2MQBB
Empfohlen
Lichtleistung
15~30 mW
Antriebsstrom
80 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
120°
Arbeitsspannung
5~7 V
LP2AQHB
Empfohlen
Lichtleistung
40~70 mW
Antriebsstrom
200 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
120°
Arbeitsspannung
5~7 V
LP2AHAC
Lichtleistung
40~70 mW
Antriebsstrom
200 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
30°
Arbeitsspannung
5~7 V
LP2AHAA
Lichtleistung
40~70 mW
Antriebsstrom
200 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
60°
Arbeitsspannung
5~7 V
LM218QQA
Lichtleistung
400~600 mW
Antriebsstrom
600 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
60°
Arbeitsspannung
15~21 V
LM44QPB
Lichtleistung
200~400 mW
Antriebsstrom
700 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
120°
Arbeitsspannung
11~14 V
LM24QPB
Lichtleistung
70~150 mW
Antriebsstrom
200 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
120°
Arbeitsspannung
10~14 V
LM24QMC
Lichtleistung
70~150 mW
Antriebsstrom
200 mA
Wellenlänge
260~280 nm
Lichtwinkel
30°
Arbeitsspannung
10~14 V