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WAlN-SA002
推荐
基于MOCVD工艺的高质量AlN/Sapphire模板
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1,2) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003
基于MOCVD工艺的高质量AlN/Sapphire模板
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2,3) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004
基于MOCVD工艺的高质量AlN/Sapphire模板
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3,4) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001
基于MOCVD工艺的高质量AlN/Sapphire模板
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0.1,1) μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec
LP2MQBB
推荐
光功率
15~30 mW
驱动电流
80 mA
波长
260~280 nm
出光角
120°
工作电压
5~7 V
LP2AQHB
推荐
光功率
40~70 mW
驱动电流
200 mA
波长
260~280 nm
出光角
120°
工作电压
5~7 V
LP2AHAC
光功率
40~70 mW
驱动电流
200 mA
波长
260~280 nm
出光角
30°
工作电压
5~7 V
LP2AHAA
光功率
40~70 mW
驱动电流
200 mA
波长
260~280 nm
出光角
60°
工作电压
5~7 V
LM218QQA
光功率
400~600 mW
驱动电流
600 mA
波长
260~280 nm
出光角
60°
工作电压
15~21 V
LM44QPB
光功率
200~400 mW
驱动电流
700 mA
波长
260~280 nm
出光角
120°
工作电压
11~14 V
LM24QPB
光功率
70~150 mW
驱动电流
200 mA
波长
260~280 nm
出光角
120°
工作电压
10~14 V
LM24QMC
光功率
70~150 mW
驱动电流
200 mA
波长
260~280 nm
出光角
30°
工作电压
10~14 V