WAlN-SA001

Hochwertige AlN/Sapphire-Vorlagen auf Basis des MOCVD-Prozesses

Dicke
[0. 1,1) μm
(002)
≤ 100 arcsec
(102)
≤ 800 arcsec
WAlN-SA001

Grundparameter

Diameter 2 inch
Substrate Sapphire
Substrate Thickness 430±20 μm
Epilayer Thickness [0. 1,1) μm
FWHM of 002 XRC ≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC ≤ 800 arcsec
Front side roughness ≤ 1. 5 nm (10×10 μm)
Edge exclusion ≤ 3 mm
Through Crack None
Surface orientation of a-plane 0°±0. 1°
Surface orientation of m-plane 0. 2°±0. 1°
Primary flat orientation a-plane±0. 1°
Primary flat length 16±1 mm
Back side roughness 0. 8±0. 2 μm

Strukturgröße

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