专利

专利概况

328+
专利数量
65%
授权率

优炜芯持续投入研发创新,在UVLED技术领域积累了丰富的专利资产,涵盖芯片设计、封装技术、应用解决方案等多个方面。

我们的专利组合为公司技术优势提供了强有力的保护,也为客户提供了可靠的知识产权保障。

专利分类

发明专利
实用新型专利
外观设计专利
国际专利
COB光源

COB光源

已授权
专利号 ZL201920197488X
专利权人 武汉优炜星科技有限公司
申请日期 2019-02-14
一种表面贴装式LED的封装体

一种表面贴装式LED的封装体

已授权
专利号 ZL 2018 2 2052790.4
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-07
一种表面贴装式LED的封装体

一种表面贴装式LED的封装体

已授权
专利号 ZL 2018 2 2052790.4
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-07
具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件

具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件

已授权
专利号 ZL 2018 2 2033175.9
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-05
具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件

具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件

已授权
专利号 ZL 2018 2 2033175.9
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-05
一种无风扇式UV-LED喷绘光源

一种无风扇式UV-LED喷绘光源

已授权
专利号 ZL 2017 1 0873565.4
专利权人 武汉优炜星科技有限公司
申请日期 2017-09-25
一种深紫外LED封装结构

一种深紫外LED封装结构

已授权
专利号 ZL 2018 2 2037517.4
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-05
一种深紫外发光二极管芯片

一种深紫外发光二极管芯片

已授权
专利号 ZL201822032512.2
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-05
一种深紫外LED封装结构

一种深紫外LED封装结构

已授权
专利号 ZL 2018 2 2037517.4
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-05
一种深紫外发光二极管芯片

一种深紫外发光二极管芯片

已授权
专利号 ZL201822032512.2
专利权人 湖北深紫科技有限公司
申请日期 2018-12-05