LS2MQBB

UVC峰值波长

I_f=40 mA

WLP

260

280

10

nm

半波宽

I_f=40 mA

Δλ

7

13

/

nm

光功率

I_f=40 mA

P_o

6

15

/

mW

UVC工作电压

I_f=40 mA

V_f

5

7

0.1

V

发光角度

I_f=40 mA

2θ1/2

110

120

130

/

Deg

反向漏电

V_r=5 V

I_r

0

1

/

μA

热阻

I_f=40 mA

Rth（j-s）

≤20

℃/W

参数

符号

数值

单位

功耗

P_d

560

mW

正向电流

I_f

80

mA

正向电压

V_f

5~7

V

工作温度

T_opr

-30~85

℃

储存温度

T_stg

-40~100

℃

结温

T_j

≤110

℃

静电（人体模式）

ESD

2000

V

常温老化

JEDEC

JESD22 A108.C

Ta=25 ℃, I_f =40 mA

Rthja=22 ℃/W

1000 小时

ΔP_o>15%

ΔV_F>10%

0/10

冷热冲击

JEDEC

JESD22-A104

-40 ℃到100 ℃的温度变化, 30 min一个循环

300次

0/10

抗静电

ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001

HBM ,2 KV,1.5 kΩ,100 pF,3 pulses

0/50

振动

JEDEC

JESD22-B110

200 m/s²,20 Hz ,

x.y.z 三个方向

24小时

0/10

低温存储

EIAJED4701/200(202)

Ta=-40 ℃

1000小时

0/10

高温存储

EIAJED4701/200(201)

Ta=100 ℃

1000小时

0/10

抗回流

EIAJED4701/300(304)

峰值温度≤260 ℃,10温区回流

1次

0/100