LS4AQHB

UVCSpitzenwellenlänge

I_f=350 mA

WLP

260

280

10

nm

Halbwellenbreite

I_f=350 mA

Δλ

7

13

/

nm

Lichtleistung

I_f=350 mA

P_o

50

175

/

mW

UVCArbeitsspannung

I_f=350 mA

V_f

5

7

0. 1

V

Lichtwinkel

I_f=350 mA

2θ1/2

110

120

130

/

Deg

Umkehrtes Lecken

V_r=5 V

I_r

0

1

/

μA

Wärmewiderstand

I_f=350 mA

Rth (j-s)

≤20

℃/W

Parameter

Symbole

Werte

Einheit

Stromverbrauch

P_d

3500

mW

Positiver Strom

I_f

500

mA

Vorwärts Spannung

V_f

5~7

V

Betriebstemperatur

T_opr

-30~85

℃

Lagertemperatur

T_stg

-40~100

℃

Gefrierte Temperatur

T_j

≤110

℃

Elektrostatik (menschlicher Modus)

ESD

2000

V

Normales Altern

JEDEC

JESD22 A108. C

Ta=25 ℃, I_f =350 mA

Rthja=22 ℃/W

1000 Stunden

ΔP_o 15%

ΔV_F 10%

0/10

Kalte Hitzeschlag

JEDEC

JESD22-A104

-40 ℃nach100 ℃Temperaturänderungen, 30 minEin Kreislauf

300Nächster

0/10

Antistatische

ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001

HBM ,2 KV,1. 5 kΩ,100 pF,3 pulses

0/50

Vibration

JEDEC

JESD22-B110

200 m/s², 20 Hz ,

x. y. z Drei Richtungen

24Stunden

0/10

Lagerung bei niedriger Temperatur

EIAJED4701/200(202)

Ta=-40 ℃

1000Stunden

0/10

Hochtemperaturlagerung

EIAJED4701/200(201)

Ta=100 ℃

1000Stunden

0/10

Widerstand gegen Rückfluss

EIAJED4701/300(304)

Spitzentemperatur≤260 ℃, 10Temperaturzone Rückfluss

1Nächster

0/100