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优炜星:深紫外LED灯单颗灯珠功率达到18毫瓦 跻身世界一流

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【摘要】:
4年时光是匠心独运成就了紫外LED领军标杆;是科学发展观与自主创新交融铸造普及先驱者。   2013年04月 成功研发出2mW深紫外LED;  2015年12月 制备出质量世界一流的AlN模板,最佳晶体质量XRD半峰宽(002/102)达到32/239弧秒;  2016年10月 成功研发出功率15mW深紫外LED灯珠;  2017年03月 纳米图形化蓝宝石衬底(NPSS)研发成功,大幅提高深紫外L
 
4年时光
是匠心独运成就了紫外LED领军标杆;
是科学发展观与自主创新交融铸造普及先驱者。
 
  2013年04月  成功研发出2 mW深紫外LED;
  2015年12月  制备出质量世界一流的AlN模板,最佳晶体质量XRD半峰宽(002/102)达到32/239弧秒;
  2016年10月  成功研发出功率15 mW深紫外LED灯珠;
  2017年03月  纳米图形化蓝宝石衬底(NPSS)研发成功,大幅提高深紫外LED外延水平;
  2017年04月  成功实现深紫外LED的全无机封装,可靠性得到大幅提升;
  2017年07月  成功量产18 mW中功率深紫外LED灯珠,寿命达到1000小时以上。
 
  先进的氮化物深紫外LED设计与制造核心技术,专业、高效的研发技术团队,四年的深紫外LED持续研发积累,2017年7月,我们取得了外延生长、芯片技术和散热技术方面的阶段性的突破,成功实现了280nmUVC-LED18MW输出光率。
 
  研究基础与团队
 
  实验室超净间总建筑面积2300平方米,拥有X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计等完备的外延材料测试设备,光刻机、电子束蒸发、ICP刻蚀等成套器件工艺设备,以及全自动共晶固晶机、点胶机、探针台等器件封装设备。
  
光电子器件的器件制备成套分析测试设备
 
光电子器件的器件制备成套工艺设备
  高质量
  高质量AlN模板外延生长技术
 
 
  切割技术
  厚衬底激光隐形切割技术
 
 
 
  厚衬底隐形切割技术:采用变深度隐形切割技术粗化厚蓝宝石侧面,在不损伤外延层的前提下增强侧面光散射,有效提高了LED垂直出光。
 
  无机封装
  锚固结构S型氟胶无机封装
 
 
 
  氟胶封装:通过采用深紫外透过率更高的无机氟胶,实现全无机封装,避免了有机硅胶在深紫外线照射下老化失效问题,显着提高了灯珠可靠性。
 
  市场广泛
  深紫外LED应用市场广泛
 
 
  深紫外LED技术主要用于杀菌消毒,深紫外LED灯单颗灯珠功率的高低决定着深紫外LED应用成本的高低,在目前深紫外应用市场对LED价格比较敏感,而深紫外LED的应用成本又一直居高不下的情况下。我们这项技术的突破,为潜在的深紫外终端厂家上线深紫外杀菌技术提供了可能性,一定程度上解决了终端厂家用不起深紫外技术的问题。