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国家“千人计划”入选者敖金平教授参观武汉优炜星

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【摘要】:
2016年10月20日,敖金平教授应邀参观了武汉优炜星科技有限公司,武汉优炜星科技有限公司位于中国光谷——武汉东湖高新技术开发区未来科技城(国家自主创新示范区),公司依托于国家华中科技大学(国家着名学府)、武汉光电国家实验室(国家级实验室)及武汉光电工业技术研究院(国家知名高端产业孵化机构)等平台,享有非常丰富的配套资源,是目前国内唯一一家拥有半导体紫外UVA/UVB/UVC-LED全波段核心器件
  2016年10月20日,敖金平教授应邀参观了武汉优炜星科技有限公司,武汉优炜星科技有限公司位于中国光谷——武汉东湖高新技术开发区未来科技城(国家自主创新示范区),公司依托于国家华中科技大学(国家着名学府)、武汉光电国家实验室(国家级实验室)及 武汉光电工业技术研究院(国家知名高端产业孵化机构)等平台,享有非常丰富的配套资源,是目前国内唯一一家拥有半导体紫外UVA/UVB/UVC -LED全波段核心器件及光源系统的核“芯”科技企业。
  参观中,公司相关领导向敖教授全面介绍了我公司关于“加快发展紫外器件、外延片及模组,提高品质、提高功率,打造中国参与全球装备制造业竞争UVLED解决方案”的基本情况,表达了与国家光电实验室共建技术研发中心进行产学研合作,共同致力于紫外LED及相关新材料研发,为中国战略性新兴产业及制造业贡献力量的强烈愿望。敖教授对我公司转型升级、自主创新的精神十分欣赏,同时对我公司战略层面的前瞻性和进取精神给予了高度的赞扬。
 
 
  在公司科技研发成果展示厅,敖教授仔细考察了公司近年来取得的科研和技术革新成果,详细询问了研发新产品、开发新技术的过程,从研发理念到实验数据,从生产过程到关键核心技术的应用,敖教授严谨的科学态度,睿智的思维方式以及现场的科学指导,给公司技术人员留下了深刻映像,同时也受到了极大的启发。现场对我公司近年来取得的成绩给予了充分的认可,尤其高度赞许了我公司在战略性新兴产业紫外LED固化、印刷固化光源、深紫外LED、紫外探测器等几大领域取得的重要成果。
 
 
 
  敖教授在座谈中从基本概念入手,由浅入深地揭示了新型宽禁带氮化镓器件与传统硅器件的区别,多种类型的GaN器件结构和具有的优势及其在LED照明、工业固化、生物医药、微波、和传感器领域的巨大应用前景。此外,他还介绍了以国际知名企业日亚科技为龙头,以国立德岛大学等高校为研究基地的校企联合模式,在德岛地区进行氮化镓蓝光研究中心的科技发展规划等等。讲座深入浅出,形象生动。
 
敖金平教授
 
  2016年第十二批国家“千人计划”创新人才长期项目入选者,日本国立德岛大学教授(诺贝尔奖获得者中村修二的母校),主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。现任该大学大学院技术与科学研究院部准教授,国内多家大学兼职教授(同时也是华中科技大学陈长清团队前期的兼职教授)。
  在国际学术期刊和国际会议上发表论文130余篇,拥有包括可以直接在交流下工作的GaN LED单片阵列,晶体管型GaN紫外光探测器,微波整流用GaN肖特基势垒二极管和电能传输系统电路,GaN电子器件的制造工艺等多项发明专利。在微波GaN肖特基势垒二极管的研究开发方面,目前保持国际领先。敖教授是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员,美国电气化学协会(ESC)会员,日本应用物理学(JSAP)会会员以及日本电子情报通信学会(IEICE)会员。