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诺贝尔奖获得者中村修二应邀参观武汉优炜星

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【摘要】:
2016年8月16日,2014年诺贝尔物理学奖获得者、美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院教授中村修二(ShujiNakamura)教授在华中科技大学武汉光电国家实验室陈长清教授、武汉光电工业技术研究院副总经理张杰及武汉未来科技城建设管理办公室曹博士等陪同下,莅临我司参观。中村修二教授作为半导体LED最权威的专家,此行应我司邀请针对半导体UVLED进行交流经验、提供指导。此次学习、交流过程中主要围绕
  2016年8月16日,2014年诺贝尔物理学奖获得者、美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院教授中村修二(Shuji Nakamura)教授在华中科技大学武汉光电国家实验室陈长清教授、武汉光电工业技术研究院副总经理张杰及武汉未来科技城建设管理办公室曹博士等陪同下,莅临我司参观。中村修二教授作为半导体LED最权威的专家,此行应我司邀请针对半导体UV LED进行交流经验、提供指导。此次学习、交流过程中主要围绕紫外LED难点、特性、应用领域、紫外LED发展现状进行了深入讲解,为我司紫外LED前沿技术研究以及市场应用提供了思路和方向。
 
 
  武汉优炜星作为武汉光电工业技术研究院平台下的孵化企业,在市科技局重点项目支持下,进行成果转化,取得了重大科研成果。公司拥有一支由归国博士、博士后、高级工程师及资深技术人员组成的高水平科研、管理、运营团队,10多年的工作经验,实力雄厚,技术过硬。
  公司从事外延生长、芯片制备、器件封装及光源系统的全波段、全产业链紫外LED研发与生产。成熟、稳定的UV LED解决方案,拥有18项技术专利,满足于国内外印刷、光通信、3C电子、家具纺织、杀菌消毒、医疗等不同领域应用。
  在参观、交流的过程中,我司副总裁/技术总监戴江南博士对紫外外延片生长、芯片、模组封装、UV LED光源系统作了详细介绍。并对紫外LED的应用、市场规模和市场核心技术作了详细描述。如:酒瓶UV丝网印刷、UV印刷局部上光、电子工业UV固化等等。中村修二教授非常认可我司的UV LED研究方向,并提出了一定的意见和建议,同时对未来UV LED行业应用非常看好。
  陈长清教授(武汉优炜星科技有限公司董事长、首席科学家)与中村修二教授就紫外外延片生长进行交流
 
 
  公司副总裁/技术总监(CTO)戴江南博士向中村修二教授介绍紫外LED面光源
 
 
  附:中村修二简介
  中村修二,电子工程学家,1954年5月22日出生于日本。
  1989年,中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED。由于在蓝光LED方面的杰出成就,中村教授获得包括仁科纪念奖、英国顶级科学奖等一系列荣誉。2000年,中村教授加入加州大学圣芭芭拉分校。2014年中村教授和赤崎勇、天野浩因发现蓝光LED而获得诺贝尔物理学奖。