优炜芯荣获第八届“创客中国”光电中小企业创新创业大赛企业组第一名并入围创客中国全国50强

为进一步提升中小企业创新能力和专业化水平，打造创新型中小企业源头活水，工业和信息化部、财政部共同印发《关于举办第八届“创客中国”中小企业创新创业大赛的通知》（工信部联企业函〔2023〕191号）。

据悉，大赛共举办区域赛35场、重点行业专题赛12场、境外区域赛决赛1场，报名参赛并入库项目超3.7万个。

优炜芯“半导体紫外LED器件研发及其产业化”项目荣获第八届“创客中国”光电中小企业创新创业大赛企业组第一名并入围创客中国全国50强。

紫外LED产业发展必要性

紫外线的应用非常广泛。汞灯作为传统的紫外灯技术，由于含有剧毒的汞金属，对人体和环境的危害极大。2020年，中国将根据联合国《关于汞的水俣公约》要求，禁止高压汞灯、含汞荧光灯等产品的生产和使用。

紫外LED是基于第三代半导体材料的新一代紫外光源，是中国在非可见光LED领域突围世界的蓝海市场。因此，发展半导体紫外发光二极管（LED）替代传统的汞灯，既是紫外光源的发展趋势，也是我国经济社会可持续发展的迫切需求。国家《“十三五”战略性新兴产业发展规划》以及《中国制造2025》中明确要求，提升半导体先进光源等核心基础硬件的供给能力，做大做强节能服务产业，鼓励研发大功率半导体光源芯片与器件等高效节能设备，为紫外LED芯片的发展指明了方向。

打破国际垄断，填补国内空白

紫外LED芯片的效率提升一直是科学技术难题。优炜芯积累了从半导体材料外延生长、器件工艺、芯片封装到终端系统设计的各方面技术优势，构建了紫外LED芯片+封装+组件的全产业链条。经过10余年持续攻关，在高效紫外LED芯片关键技术方面实现了系统性突破，拥有一系列自主知识产权和创新技术，并已成功实现商业化应用，产生了良好的社会经济效益。

高质量外延材料MOCVD生长技术

针对大失配应变体系中外延材料的生长难题，建立了新型 AlN材料生长动力学模型，研制出厚度10微米以上，材料晶体质量达到国际先进水平的AlN厚膜，为制备高效率紫外LED芯片提供了关键材料保障。

全空间高反射ODR光场调控技术

针对深紫外LED的光提取难题，从光场调控的角度出发，设计了一种全空间全向高反射ODR系统，有效调控芯片内部光子的传播路径，抑制界面全反射效应和吸收损耗，同步实现TE和TM两种偏振模式的光提取，提高了深紫外LED芯片的光提取效率。

高效率深紫外LED芯片

实现了芯片尺寸20 mil × 20 mil，发光波长为280 nm的深紫外LED芯片。在20 mA工作电流下，外量子效率达到7.03%，处于国内先进水平，进一步缩小了与国际领先水平的差距。

高效杀菌深紫外LED核心组件

研发出用于高效杀菌消毒领域的深紫外LED核心组件，例如280 nm深紫外LED阵列模组、环形深紫外LED光源组件等。这些模组器件已成功运用于空气净化、水净化、表面杀菌等多个领域。

高密度COB近紫外LED阵列光源

实现高质量胶印应用、高速光纤涂覆应用、大面积液晶显示应用三个高端光固化领域里的技术突破，开发的高效率紫外LED光源性能达到国际一流水平，填补国内行业空白，助力国家核心产业的发展。